BFP 740 H6327 全國供應商、價格、PDF資料
BFP 740 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 42GHZ 4V SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：4V
- 頻率_轉換：42GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：27dB
- 功率_最大：160mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：SOT-343
- 包裝：帶卷 (TR)
BFP 740 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 42GHZ 4V SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：4V
- 頻率_轉換：42GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：27dB
- 功率_最大：160mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：SOT-343
- 包裝：Digi-Reel®
BFP 740 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 42GHZ 4V SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：4V
- 頻率_轉換：42GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：27dB
- 功率_最大：160mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：SOT-343
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.033UF 630VDC RADIAL
- 編碼器 CUI Inc 徑向 ENCODER OPT 3CHAN 500PPR 5VDC
- RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引線 TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 3900PF 1.6KVDC RADIAL
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0010UF 10% 400V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
- 陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 820PF 100V 5% RADIAL
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 33NF 10% 630V MKP
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 2.2NF 5% 500VAC MKP
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR PNP AF 100V SOT-223
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0100UF 5% 400V
- 陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 100PF 50V 5% RADIAL
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 47NF 5% 630V MKP
0755-88291559 
0755-23914006 
